Το HT14BN392JN είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την HT14BN392JN, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το HT14BN392JN μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε HT14BN392JN με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
HT14BN392JN
- Αριθμός εξαρτήματος:
- HT14BN392JN
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP CER 3900PF 50V NP0 AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 53716 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- HT14BN392JN.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 50V |
| Ανοχή: | ±5% |
| Πάχος (Max): | - |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.155" Dia x 0.400" L (3.94mm x 10.16mm) |
| Σειρά: | HT |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Axial |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 200°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 54 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | High Temperature |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 3900pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Axial |
| χωρητικότητα: | 3900pF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για HT14BN392JN
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
HT13G A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Έρευνα |
 |
HT14BB223KN | KEMET | CAP CER 0.022UF 50V X7R AXIAL | Έρευνα |
|
HT13BW104KC | KEMET | CAP CER 0.1UF 50V X7R AXIAL | Έρευνα |
|
HT14CB473KC | KEMET | CAP CER 0.047UF 100V X7R AXIAL | Έρευνα |
|
HT14DN102JC | KEMET | CAP CER 1000PF 200V NP0 AXIAL | Έρευνα |
|
HT14G A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT13CN102JC | KEMET | CAP CER 1000PF 100V NP0 AXIAL | Έρευνα |
|
HT16G A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT14BB473KN | KEMET | CAP CER 0.047UF 50V X7R AXIAL | Έρευνα |
|
HT15G A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT13BW104KN | KEMET | CAP CER 0.1UF 50V X7R AXIAL | Έρευνα |
|
HT13G A1G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT15G R0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT14G R0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT12G R0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT16G A1G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT13CN102JN | KEMET | CAP CER 1000PF 100V NP0 AXIAL | Έρευνα |
|
HT14G A1G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT15G A1G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | Έρευνα |
|
HT13G R0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο