Το HIP2100IRZT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την HIP2100IRZT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το HIP2100IRZT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε HIP2100IRZT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
HIP2100IRZT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- HIP2100IRZT
- Κατασκευαστής:
- Intersil
- Περιγραφή:
- IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38171 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- HIP2100IRZT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 9 V ~ 14 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-QFN-EP (5x5) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 10ns, 10ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 16-VQFN Exposed Pad |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 4V, 7V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Non-Inverting |
| Υψηλής Τάσης Side - Max (Bootstrap): | 114V |
| Τύπος πύλης: | N-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Half-Bridge |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN-EP (5x5) |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 2A, 2A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Independent |
| Αριθμός μέρους βάσης: | HIP2100 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για HIP2100IRZT
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
HIP2100IBZT | Intersil | IC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC | Έρευνα |
|
HIP2101EIBZT | Intersil | IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC | Έρευνα |
 |
HIP2100IRT | Intersil | IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN | Έρευνα |
 |
HIP2100IR4ZT | Intersil | IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN | Έρευνα |
|
HIP2101EIBZ | Intersil | IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC | Έρευνα |
|
HIP2100IR | Intersil | IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN | Έρευνα |
|
HIP2101IR | Intersil | IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN | Έρευνα |
|
HIP2100IR4Z | Intersil | IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN | Έρευνα |
|
HIP2101IBT | Intersil | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC | Έρευνα |
|
HIP2101IBZT7A | Intersil | IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC | Έρευνα |
|
HIP2100IR4T | Intersil | IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN | Έρευνα |
|
HIP2100IBZ | Intersil | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC | Έρευνα |
|
HIP2101IB | Intersil | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC | Έρευνα |
|
HIP2100IRZ | Intersil | IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN | Έρευνα |
|
HIP2101EIB | Intersil | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC | Έρευνα |
|
HIP2101EIBT | Intersil | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC | Έρευνα |
|
HIP2101IBZ | Intersil | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC | Έρευνα |
|
HIP2100IBZT7A | Intersil | IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC | Έρευνα |
|
HIP2101IBZT | Intersil | IC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC | Έρευνα |
|
HIP2100IR4 | Intersil | IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο