Το HEF4051BT,653 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την HEF4051BT,653, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το HEF4051BT,653 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε HEF4051BT,653 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
HEF4051BT,653
- Αριθμός εξαρτήματος:
- HEF4051BT,653
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46929 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- HEF4051BT,653.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Προμήθεια, Ενιαία (V +): | 3 V ~ 15 V |
| Τάση - Τροφοδοσία, Διπλή (V ±): | - |
| Χρόνος διακοπής (Ton, Toff) (Max): | - |
| Κύκλωμα διακοπτών: | - |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-SO |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2947-2 568-1690-2 568-1690-2-ND 933372940653 HEF4051BTD-T |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Αντίσταση κατάστασης (Max): | 155 Ohm |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| Κύκλωμα πολυπλέκτη / αποπολυπλέκτη: | 8:1 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1 Circuit IC Switch 8:1 155 Ohm 16-SO |
| Τρέχουσα - Διαρροή (IS (off)) (Max): | 200nA |
| Στιχομυθία: | -50dB @ 1MHz |
| Φόρτιση με ένεση: | - |
| Αντιστοίχιση καναλιού σε κανάλι (ΔRon): | 5 Ohm |
| Χωρητικότητα καναλιού (CS (εκτός), CD (εκτός λειτουργίας): | 7.5pF |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 4051 |
| -3dB εύρος ζώνης: | 70MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για HEF4051BT,653
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
HEF4050BT-Q100J | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 15V 16SO | Έρευνα |
|
HEF4052BT,653 | Nexperia | IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16SOIC | Έρευνα |
|
HEF4049BT-Q100J | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 16SO | Έρευνα |
|
HEF4052BT,013 | Nexperia | IC MUX/DEMUX DUAL 4CH 16SOIC | Έρευνα |
|
HEF4051BT-Q100,118 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8CH ANLG 16SOIC | Έρευνα |
 |
HEF4051BTS,112 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8X1 16SSOP | Έρευνα |
|
HEF4051BT,652 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC | Έρευνα |
 |
HEF4050BP,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC BUFFER NON-INVERT 15V 16DIP | Έρευνα |
|
HEF4050BT,652 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 15V 16SO | Έρευνα |
|
HEF4051BT,013 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC | Έρευνα |
|
HEF4052BT,652 | Nexperia | IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16SOIC | Έρευνα |
|
HEF4049BT,652 | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 16SO | Έρευνα |
|
HEF4051BP,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC MUX/DEMUX 8X1 16DIP | Έρευνα |
 |
HEF4051BTT,118 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP | Έρευνα |
|
HEF4051BTT-Q100,11 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8CH ANLG 16TSSOP | Έρευνα |
|
HEF4049BT,653 | Nexperia | IC INVERTER 6CH 6-INP 16SO | Έρευνα |
|
HEF4050BT,653 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 15V 16SO | Έρευνα |
|
HEF4051BTS,118 | Nexperia | IC MUX/DEMUX 8X1 16SSOP | Έρευνα |
|
HEF4051BT/AUJ | NXP Semiconductors / Freescale | IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC | Έρευνα |
|
HEF4052BP,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16DIP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash