Το GRTE18S-N2312 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την GRTE18S-N2312, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το GRTE18S-N2312 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε GRTE18S-N2312 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
GRTE18S-N2312
- Αριθμός εξαρτήματος:
- GRTE18S-N2312
- Κατασκευαστής:
- SICK
- Περιγραφή:
- SEN PHT NPN LO M12 MTL STR
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50731 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- GRTE18S-N2312.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 10 V ~ 30 V |
| Σειρά: | GR18S |
| Μέθοδος ανίχνευσης: | Proximity |
| Απόσταση ανίχνευσης: | 0.118" ~ 4.528" (3mm ~ 115mm) |
| Χρόνος απόκρισης: | 1ms |
| Διαμόρφωση εξόδου: | NPN |
| Αλλα ονόματα: | 1059408 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 55°C (TA) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 3 Weeks |
| Πηγή φωτός: | Red (650nm) |
| Προστασία Ingress: | IP67 |
| Μέθοδος σύνδεσης: | Connector, M12 |
| καλώδιο Μήκος: | - |
| Τύπος προσαρμογής: | Adjustable, Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για GRTE18S-N2312
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
GRTE18S-N1367 | SICK | SEN PHT NPN LO CBL PLS STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1147 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL PLS STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-P1312 | SICK | SEN PHT PNP LO CAB 2M MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1342 | SICK | SEN PHT NPN LO CAB 2M MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N2367 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 PLS STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1162 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1167 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL PLS STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1312 | SICK | SEN PHT NPN LO CAB 2M MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N236Z | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1362 | SICK | SEN PHT NPN LO CBL MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N234Z | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR FF | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1347 | SICK | SEN PHT NPN LO CAB 2M PLSTC STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N231Z | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR FF | Έρευνα |
|
GRTE18S-N2347 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 PLSTC STR | Έρευνα |
 |
GRTE18S-N2342 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL | Έρευνα |
|
GRTE18S-N2362 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N2317 | SICK | SEN PHT NPN LO M12 PLSTC STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1142 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-P1317 | SICK | SEN PHT PNP LO CAB 2M PLSTC STR | Έρευνα |
|
GRTE18S-N1317 | SICK | SEN PHT NPN LO CAB 2M PLSTC STR | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο