Το GRT32ER61H475KE01L είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την GRT32ER61H475KE01L, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το GRT32ER61H475KE01L μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε GRT32ER61H475KE01L με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
GRT32ER61H475KE01L
- Αριθμός εξαρτήματος:
- GRT32ER61H475KE01L
- Κατασκευαστής:
- Murata Electronics
- Περιγραφή:
- CAP CER 4.7UF 50V X5R 1210
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28710 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- GRT32ER61H475KE01L.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 50V |
| Ανοχή: | ±10% |
| Πάχος (Max): | 0.106" (2.70mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | X5R |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Σειρά: | GRT |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q200 |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1210 (3225 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 490-12507-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4.7µF ±10% 50V Ceramic Capacitor X5R 1210 (3225 Metric) |
| χωρητικότητα: | 4.7µF |
| εφαρμογές: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για GRT32ER61H475KE01L
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
GRTE18-N1142 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18-N1147 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M MTL STR | Έρευνα |
 |
GRT32ER61H475ME01L | Murata Electronics | CAP CER 4.7UF 50V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRT32ER61E226ME13L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 25V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRT32ER60J107ME13L | Murata Electronics | CAP CER 100UF 6.3V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRT32ER61C226KE13L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 16V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRTE18-N1112 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M MTL STR | Έρευνα |
|
GRT32ER61A226KE01L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 10V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRT32ER60J226KE01L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 6.3V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRTE18-N1117 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M PLS STR | Έρευνα |
|
GRTE18-N1162 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M MTL STR | Έρευνα |
|
GRT32ER61A226ME01L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 10V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRT32ER61C226ME13L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 16V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRTE18-N2412 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO M12 MTL STR | Έρευνα |
|
GRTE18-N2417 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO M12 PLS STR | Έρευνα |
|
GRT32ER61E226KE13L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 25V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRT32ER60J226ME01L | Murata Electronics | CAP CER 22UF 6.3V X5R 1210 | Έρευνα |
|
GRTE18-N1167 | SICK | SEN PHT NPN LO/DO CBL 2M PLS STR | Έρευνα |
|
GRTB18S-P2412 | SICK | SEN PHT 150MM PNP/NPN COMP | Έρευνα |
|
GRT32EC81H475ME01L | Murata Electronics | CAP CER 4.7UF 50V X6S 1210 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο