Το G6BK-1114P-1-US DC9 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την G6BK-1114P-1-US DC9, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το G6BK-1114P-1-US DC9 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε G6BK-1114P-1-US DC9 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
G6BK-1114P-1-US DC9
- Αριθμός εξαρτήματος:
- G6BK-1114P-1-US DC9
- Κατασκευαστής:
- Omron
- Περιγραφή:
- RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 9V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54460 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- G6BK-1114P-1-US DC9.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | 6.3 VDC |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | - |
| Στυλ λήξης: | PC Pin |
| εναλλαγή τάσης: | 380VAC, 125VDC - Max |
| Σειρά: | G6B |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 10ms |
| Τύπος ρελέ: | General Purpose |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Αλλα ονόματα: | G6BK-1114P-1-USDC9 G6BK-1114P-1-USDC9-ND G6BK1114P1US9DC G6BK1114P1USDC9 G6BK1116E Z3544 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 70°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 10ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | Sealed - Fully |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 9VDC Coil Through Hole |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 5A |
| Επικοινωνία Υλικό: | Silver Alloy, Cadmium Free |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | SPST-NO (1 Form A) |
| πηνίο τάσης: | 9VDC |
| Coil Τύπος: | Latching, Dual Coil |
| πηνίο Αντίσταση: | 289 Ohms |
| πηνίο ισχύος: | 280 mW |
| πηνίο Τρέχουσα: | 31.1mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για G6BK-1114P-1-US DC9
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
G6B-4BND-DC24 | Omron | RELAY GEN PURP SPST X 4 5A 24V | Έρευνα |
 |
G6BK-1114P-US-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-1-US DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-DC3 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 3V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V | Έρευνα |
|
G6B1114PFDUSP6BDC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6B-4BND-DC5 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST X 4 5A 5V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-P6B DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-1-US-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-P6B DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-1-US-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V | Έρευνα |
 |
G6B1114PUSSVDC5 | Omron | RELAY GEN PURPOSE | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-DC6 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 6V | Έρευνα |
|
G6B-4CB DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 24V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-1-US DC6 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 6V | Έρευνα |
|
G6BK-1114P-US-P6B DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6B-4CB DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 12V | Έρευνα |
|
G6B1174PFDUSP6BDC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE | Έρευνα |
 |
G6B-4FPND DC24 | Omron Automation & Safety | PCB RELAY TERMINAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο