Το G6B-2114P-1-US DC24 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την G6B-2114P-1-US DC24, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το G6B-2114P-1-US DC24 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε G6B-2114P-1-US DC24 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
G6B-2114P-1-US DC24
- Αριθμός εξαρτήματος:
- G6B-2114P-1-US DC24
- Κατασκευαστής:
- Omron
- Περιγραφή:
- RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 24V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34203 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- G6B-2114P-1-US DC24.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | 19.2 VDC |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | 2.4 VDC |
| Στυλ λήξης: | PC Pin |
| εναλλαγή τάσης: | 380VAC, 125VDC - Max |
| Σειρά: | G6B |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 10ms |
| Τύπος ρελέ: | General Purpose |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Αλλα ονόματα: | G6B 6016G G6B-2114P-1-US-DC24 G6B-2114P-1USDC24 G6B-2114P-1USDC24-ND G6B2114P1US24DC G6B2114P1USDC24 Z5304 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 70°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 10ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 19 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | Sealed - Fully |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Relay DPST-NO/NC (1 Form A, 1 From B) 24VDC Coil Through Hole |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 5A |
| Επικοινωνία Υλικό: | Silver Alloy, Cadmium Free |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | DPST-NO/NC (1 Form A, 1 From B) |
| πηνίο τάσης: | 24VDC |
| Coil Τύπος: | Non Latching |
| πηνίο Αντίσταση: | 1.92 kOhms |
| πηνίο ισχύος: | 300 mW |
| πηνίο Τρέχουσα: | 12.5mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για G6B-2114P-1-US DC24
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
G6B-2014P-US DC48 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 48V | Έρευνα |
|
G6B-2014P-US DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-US DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V | Έρευνα |
|
G6B-2014P-US DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6B-2014P-US-P6B DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6B-2114C-US DC6 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 6V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-1-US DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6B-2014P-US-P6B DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-FD-US DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-FD-US DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-1-US DC6 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 6V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-US DC6 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 6V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-1-US DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-US DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6B-2114C-US DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-US DC48 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 48V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-FD-US DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 24V | Έρευνα |
|
G6B-2114C-US DC5 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V | Έρευνα |
|
G6B-2114P-1-US-DC9 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 9V | Έρευνα |
|
G6B-2014P-US DC6 | Omron | RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 6V | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο