Το G6A-434P-ST-US-DC24 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την G6A-434P-ST-US-DC24, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το G6A-434P-ST-US-DC24 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε G6A-434P-ST-US-DC24 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
G6A-434P-ST-US-DC24
- Αριθμός εξαρτήματος:
- G6A-434P-ST-US-DC24
- Κατασκευαστής:
- Omron
- Περιγραφή:
- RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 56848 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- G6A-434P-ST-US-DC24.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | 16.8 VDC |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | 2.4 VDC |
| Στυλ λήξης: | PC Pin |
| εναλλαγή τάσης: | 250VAC, 220VDC - Max |
| Σειρά: | G6A |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 5ms |
| Τύπος ρελέ: | General Purpose |
| Συσκευασία: | Tube |
| Αλλα ονόματα: | G6A 1126M G6A-434P-STUS-DC24 G6A434PSTUS24DC G6A434PSTUSDC24 Z941 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 70°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 7ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Through Hole |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 1A |
| Επικοινωνία Υλικό: | Silver Palladium (AgPd), Gold (Au) |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | 4PDT (4 Form C) |
| πηνίο τάσης: | 24VDC |
| Coil Τύπος: | Non Latching |
| πηνίο Αντίσταση: | 1.6 kOhms |
| πηνίο ισχύος: | 360 mW |
| πηνίο Τρέχουσα: | 15.0mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για G6A-434P-ST-US-DC24
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
G6A-434P-ST20-US-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
 |
G6A-274P-STLT-US DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST-US-DC9 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST401-USDC48 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST-US-DC5 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST40-US-DC9 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST-US-DC48 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST40-US-DC48 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST20-US-DC48 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST-US-DC3 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST40-US-DC6 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST40-US-DC5 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST40-US-DC3 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST20-US-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST20-US-DC5 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-ST58-US DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST-US-DC6 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST20-US DC3 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-434P-ST-US-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE 4PDT 1A 250V | Έρευνα |
|
G6A-274P-STY-USDC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική