Το G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18
- Αριθμός εξαρτήματος:
- G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18
- Κατασκευαστής:
- Omron
- Περιγραφή:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 18V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54080 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | 14.4 VDC |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | 1.8 VDC |
| Στυλ λήξης: | PC Pin |
| εναλλαγή τάσης: | 250VAC, 125VDC - Max |
| Σειρά: | G4W |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 5ms |
| Τύπος ρελέ: | General Purpose |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Αλλα ονόματα: | G4W1112PUSTV8HPDC18 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 55°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 20ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 18VDC Coil Through Hole |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 15A |
| Επικοινωνία Υλικό: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | SPST-NO (1 Form A) |
| πηνίο τάσης: | 18VDC |
| Coil Τύπος: | Non Latching |
| πηνίο Αντίσταση: | 405 Ohms |
| πηνίο ισχύος: | 800 mW |
| πηνίο Τρέχουσα: | 44.4mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για G4W-1112P-US-TV8-HP-DC18
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
G4W-1112P-US-TV8 DC100 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 100V | Έρευνα |
|
G4W-2212P-US-TV5-HP-DC100 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 100V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-US-TV8-HP-T130 DC18 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 18V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-US-TV8-HP-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-2212P-US-TV5-HP-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 12V | Έρευνα |
|
G4W-1114P-US-TV8-HP-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 12V | Έρευνα |
|
G4W-2214P-US-HP-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-2212P-VD-TV5-HP DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-2214P-US-T130-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-VD-TV8 DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 12V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-US-TV8-HP-DC100 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 100V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-US-TV8 DC6 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 6V | Έρευνα |
|
G4W-2214P-US-HP-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 12V | Έρευνα |
|
G4W-1114P-US-TV8-HP-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-US-TV8-HP-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 12V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-VD-TV8-HP-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-2212P-VD-TV5-HP-DC12 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 12V | Έρευνα |
|
G4W-2212P-US-TV5-HP-DC24 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 24V | Έρευνα |
|
G4W-1112P-US-TV8-DC18 | Omron | RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 18V | Έρευνα |
|
G4W-2214P-US-HP-DC18 | Omron | RELAY GEN PURPOSE DPST 15A 18V | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας