FQA6N90_F109
FQA6N90_F109
Αριθμός εξαρτήματος:
FQA6N90_F109
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
28026 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
FQA6N90_F109.pdf

Εισαγωγή

Το FQA6N90_F109 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FQA6N90_F109, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FQA6N90_F109 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FQA6N90_F109 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-3PN
Σειρά:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.9 Ohm @ 3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):198W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-3P-3, SC-65-3
Αλλα ονόματα:FQA6N90-F109
FQA6N90-F109-ND
Q3402555
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1880pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:52nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):900V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 900V 6.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:6.4A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις