Το FP1108R1-R18-R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FP1108R1-R18-R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FP1108R1-R18-R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FP1108R1-R18-R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FP1108R1-R18-R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FP1108R1-R18-R
- Κατασκευαστής:
- Bussmann (Eaton)
- Περιγραφή:
- FIXED IND 180NH 65A 0.29 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55016 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FP1108R1-R18-R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±10% |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.421" L x 0.303" W (10.70mm x 7.70mm) |
| θωράκιση: | Unshielded |
| Σειρά: | FP1108 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 283-4640-2 FP1108R1-R18-R-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 100kHz |
| Επαγωγή: | 180nH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.295" (7.50mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 65A 0.29 mOhm Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 0.29 mOhm |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 65A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 50A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FP1108R1-R18-R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
FP1109-R27-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 270NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
 |
FP1109-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 950NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
 |
FP1109-R47-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 463NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
|
FP1108R1-R37-R | Bussmann (Eaton) | IND,FPC 0.375UH 45APK 2PAD SMT | Έρευνα |
|
FP1108L1-R150-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 150NH 2 PADS | Έρευνα |
 |
FP1108R1-R15-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150NH 65A 0.29 MOHM | Έρευνα |
|
FP1108L4-R150-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 150NH 40A 2 P | Έρευνα |
 |
FP1109-R33-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 311NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
|
FP1108L1-R270-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 270NH 2 PADS | Έρευνα |
|
FP1109-R58-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 548NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
|
FP1109-R20-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 205NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
|
FP1108R1-R21-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 210NH 65A 0.29 MOHM | Έρευνα |
|
FP1108L1-R330-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 330NH 2 PADS | Έρευνα |
|
FP1108L4-R120-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 120NH 50A 2 P | Έρευνα |
|
FP1108L4-R180-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 180NH 33A 2 P | Έρευνα |
|
FP1108R1-R10-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 100NH 65A 0.29 MOHM | Έρευνα |
|
FP1109B1-R150-R | Bussmann (Eaton) | IND FP 150NH 80A 2PAD SMT | Έρευνα |
|
FP1108L1-R220-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 220NH 2 PADS | Έρευνα |
|
FP1108L1-R180-R | Bussmann (Eaton) | IND FLAT PAC POWER 180NH 2 PADS | Έρευνα |
|
FP1109-R23-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 247NH 35A 0.42 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας