Το FK18Y5V1H224Z είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FK18Y5V1H224Z, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FK18Y5V1H224Z μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FK18Y5V1H224Z με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FK18Y5V1H224Z
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FK18Y5V1H224Z
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- CAP CER 0.22UF 50V Y5V RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47102 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FK18Y5V1H224Z.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 50V |
| Ανοχή: | -20%, +80% |
| Πάχος (Max): | - |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | Y5V (F) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) |
| Σειρά: | FK |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial |
| Αλλα ονόματα: | 445-4806 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -30°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Style: | Formed Leads - Kinked |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.098" (2.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 0.22µF -20%, +80% 50V Ceramic Capacitor Y5V (F) Radial |
| χωρητικότητα: | 0.22µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FK18Y5V1H224Z
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
FK18Y5V1C225Z | TDK Corporation | CAP CER 2.2UF 16V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK18X7S2A333KR006 | TDK Corporation | CAP CER 0.033UF 100V X7S RADIAL | Έρευνα |
|
FK18Y5V1H474Z | TDK Corporation | CAP CER 0.47UF 50V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK18X7S2A683K | TDK Corporation | CAP CER 0.068UF 100V X7S RADIAL | Έρευνα |
|
FK18Y5V0J475Z | TDK Corporation | CAP CER 4.7UF 6.3V Y5V RADIAL | Έρευνα |
 |
FK1920010 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 19.2MHZ CMOS SMD | Έρευνα |
|
FK1940003 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 19.44MHZ CMOS SMD | Έρευνα |
|
FK18X7S2A473K | TDK Corporation | CAP CER 0.047UF 100V X7S RADIAL | Έρευνα |
|
FK18X7S2A473KR006 | TDK Corporation | CAP CER 0.047UF 100V X7S RADIAL | Έρευνα |
|
FK1940002 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 19.44MHZ CMOS SMD | Έρευνα |
|
FK18Y5V1E105Z | TDK Corporation | CAP CER 1UF 25V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK1920012 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 19.2MHZ CMOS SMD | Έρευνα |
|
FK18X7S2A333K | TDK Corporation | CAP CER 0.033UF 100V X7S RADIAL | Έρευνα |
|
FK18Y5V1H104Z | TDK Corporation | CAP CER 0.1UF 50V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK18Y5V1C105Z | TDK Corporation | CAP CER 1UF 16V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK18Y5V1A225Z | TDK Corporation | CAP CER 2.2UF 10V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK18Y5V1E474Z | TDK Corporation | CAP CER 0.47UF 25V Y5V RADIAL | Έρευνα |
|
FK18X7S2A683KR006 | TDK Corporation | CAP CER 0.068UF 100V X7S RADIAL | Έρευνα |
|
FK1940004 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 19.44MHZ CMOS SMD | Έρευνα |
|
FK1940001 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 19.44MHZ CMOS SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική