Το FF600R12KE4EBOSA1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FF600R12KE4EBOSA1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FF600R12KE4EBOSA1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FF600R12KE4EBOSA1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FF600R12KE4EBOSA1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FF600R12KE4EBOSA1
- Κατασκευαστής:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Περιγραφή:
- MOD IGBT MED PWR 62MM-1
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / σύμφωνο RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 39497 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FF600R12KE4EBOSA1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.2V @ 15V, 600A |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | Module |
| Σειρά: | C |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Module |
| Αλλα ονόματα: | FF600R12KE4_E SP001500374 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C |
| NTC θερμίστορ: | No |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce: | 38nF @ 25V |
| Εισαγωγή: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Trench Field Stop |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 600A Chassis Mount Module |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 5mA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 600A |
| Διαμόρφωση: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FF600R12KE4EBOSA1
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο