FDB16AN08A0
FDB16AN08A0
Αριθμός εξαρτήματος:
FDB16AN08A0
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
32409 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
FDB16AN08A0.pdf

Εισαγωγή

Το FDB16AN08A0 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FDB16AN08A0, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FDB16AN08A0 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FDB16AN08A0 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D²PAK
Σειρά:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 58A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):135W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα:FDB16AN08A0-ND
FDB16AN08A0TR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:6 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1857pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:42nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):75V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 58A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις