FCP360N65S3R0
Αριθμός εξαρτήματος:
FCP360N65S3R0
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
SUPERFET3 650V TO220 PKG
Ποσότητα αποθέματος:
56746 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
FCP360N65S3R0.pdf

Εισαγωγή

Το FCP360N65S3R0 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FCP360N65S3R0, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FCP360N65S3R0 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FCP360N65S3R0 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220-3
Σειρά:SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):83W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:Lead free
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:730pF @ 400V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:18nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις