Το F951D226MBAAQ2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την F951D226MBAAQ2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το F951D226MBAAQ2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε F951D226MBAAQ2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
F951D226MBAAQ2
- Αριθμός εξαρτήματος:
- F951D226MBAAQ2
- Κατασκευαστής:
- Nichicon
- Περιγραφή:
- CAP TANT 22UF 20V 20% 1210
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52285 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- F951D226MBAAQ2.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάση - Ονομαστική: | 20V |
| Τύπος: | Conformal Coated |
| Ανοχή: | 22µF |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | B |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Σειρά: | F95, Frameless™ |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 1411 (3528 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | 493-2959-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | F951D226MBAAQ2 |
| Ισόβια @ Temp.: | 800 mOhm |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.079" (2.00mm) |
| Χαρακτηριστικά: | General Purpose |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 22µF ±20% Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1411 (3528 Metric) 800 mOhm |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±20% |
| Περιγραφή: | CAP TANT 22UF 20V 20% 1210 |
| εφαρμογές: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για F951D226MBAAQ2
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
F951D475KSAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 4.7UF 20V 10% 1206 | Έρευνα |
 |
F951D685KAAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 6.8UF 20V 10% 1206 | Έρευνα |
 |
F951D106MAAAQ2 | Nichicon | CAP TANT 10UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D475MAAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 4.7UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D335KAAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 3.3UF 20V 10% 1206 | Έρευνα |
|
F951D106MSAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 10UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D475KAAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 4.7UF 20V 10% 1206 | Έρευνα |
|
F951D335MAAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 3.3UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D106MAAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 10UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D335MAAAQ2 | Nichicon | CAP TANT 3.3UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D475MAAAQ2 | Nichicon | CAP TANT 4.7UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
 |
F951D106MBAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 10UF 20V 20% 1411 | Έρευνα |
|
F951D225MPAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 2.2UF 20V 20% 0805 | Έρευνα |
|
F951D226KBAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 22UF 20V 10% 1411 | Έρευνα |
|
F951D225KSAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 2.2UF 20V 10% 1206 | Έρευνα |
 |
F951D226KBAAQ2 | Nichicon | CAP TANT 22UF 20V 10% 1210 | Έρευνα |
|
F951D225MSAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 2.2UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D226MBAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 22UF 20V 20% 1411 | Έρευνα |
|
F951D475MSAAQ2 | Nichicon | CAP TANT 4.7UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
|
F951D475MSAAQ2 | AVX Corporation | CAP TANT 4.7UF 20V 20% 1206 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC