Το EEE-FT0J222AP είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την EEE-FT0J222AP, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το EEE-FT0J222AP μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε EEE-FT0J222AP με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
EEE-FT0J222AP
- Αριθμός εξαρτήματος:
- EEE-FT0J222AP
- Κατασκευαστής:
- Panasonic
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 2200UF 20% 6.3V SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38297 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 6.3V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | 0.406" L x 0.406" W (10.30mm x 10.30mm) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Σειρά: | FT |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 833mA @ 120Hz |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 1.19A @ 100kHz |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q200 |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - SMD |
| Αλλα ονόματα: | P15079CT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 19 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.413" (10.50mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 60 mOhm @ 100kHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 2200µF 6.3V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 60 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 2200µF |
| εφαρμογές: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για EEE-FT0J222AP
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
EEE-FT0J152AP | Panasonic | CAP ALUM 1500UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
 |
EEE-FT0J222GP | Panasonic | CAP ALUM 2200UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
 |
EEE-FT1A221AP | Panasonic | CAP ALUM 220UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
 |
EEE-FPV680XAP | Panasonic | CAP ALUM 68UF 20% 35V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FPV100UAR | Panasonic | CAP ALUM 10UF 20% 35V SMD | Έρευνα |
 |
EEE-FT0J221AR | Panasonic | CAP ALUM 220UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FPJ470UAR | Panasonic | CAP ALUM 47UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1A151AR | Panasonic | CAP ALUM 150UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FPV101XAP | Panasonic | CAP ALUM 100UF 20% 35V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1A102GP | Panasonic | CAP ALUM 1000UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT0J331AP | Panasonic | CAP ALUM 330UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FPJ331XAP | Panasonic | CAP ALUM 330UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1A152GP | Panasonic | CAP ALUM 1500UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
 |
EEE-FT0J101AR | Panasonic | CAP ALUM 100UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1A680AR | Panasonic | CAP ALUM 68UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1C101AR | Panasonic | CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FPV391UAP | Panasonic | CAP ALUM 390UF 20% 35V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT0J152GP | Panasonic | CAP ALUM 1500UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1A152AP | Panasonic | CAP ALUM 1500UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
|
EEE-FT1A102AP | Panasonic | CAP ALUM 1000UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική