Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) > Μνήμη > EDB4432BBBJ-1D-F-D
EDB4432BBBJ-1D-F-D
Αριθμός εξαρτήματος:
EDB4432BBBJ-1D-F-D
Κατασκευαστής:
Micron Technology
Περιγραφή:
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
25462 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EDB4432BBBJ-1D-F-D.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το EDB4432BBBJ-1D-F-D είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την EDB4432BBBJ-1D-F-D, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το EDB4432BBBJ-1D-F-D μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε EDB4432BBBJ-1D-F-D με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page:-
Τάσης - Προμήθεια:1.14 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία:SDRAM - Mobile LPDDR2
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:134-FBGA (10x11.5)
Σειρά:-
Συσκευασία:Tray
Συσκευασία / υπόθεση:134-WFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-30°C ~ 85°C (TC)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):3 (168 Hours)
Τύπος μνήμης:Volatile
Μέγεθος μνήμης:4Gb (128M x 32)
Διασύνδεση μνήμης:Parallel
Μορφή μνήμης:DRAM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
Συχνότητα ρολογιού:533MHz
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EDB4432BBBJ-1D-F-D

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EDB4432BBBH-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA Έρευνα
EDB4064B4PB-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4416BBBH-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Image EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Έρευνα
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA Έρευνα
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4432BBBH-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4432BBPA-1D-F-D Image EDB4432BBPA-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Έρευνα
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4432BBPE-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA Έρευνα
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Έρευνα

Latest Ειδήσεις