Το DSEI12-12A είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSEI12-12A, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSEI12-12A μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSEI12-12A με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSEI12-12A
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSEI12-12A
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59152 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSEI12-12A.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2.6V @ 12A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220AC |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 70ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-2 |
| Αλλα ονόματα: | DSEI1212A |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -40°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 1200V 11A Through Hole TO-220AC |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 11A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSEI12-12A
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEE29-12CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 30A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
DSEI19-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | Έρευνα |
 |
DSEI20-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC | Έρευνα |
 |
DSEI 2X61-02A | IXYS | DIODE MODULE 200V 71A SOT227B | Έρευνα |
|
DSEI2X101-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A ECO-PAC2 | Έρευνα |
|
DSEE8-08CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 800V 10A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
DSEI12-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | Έρευνα |
 |
DSEI120-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD | Έρευνα |
|
DSEI19-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | Έρευνα |
|
DSEE29-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 30A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
DSEI12-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC | Έρευνα |
|
DSEI120-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | Έρευνα |
|
DSEE55-24N1F | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC | Έρευνα |
|
DSEI2X101-06A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A SOT227B | Έρευνα |
|
DSEI2X101-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 91A ECO-PAC2 | Έρευνα |
|
DSEI2X101-12A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 91A SOT227B | Έρευνα |
|
DSEE8-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 10A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
DSEI2X121-02A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 123A SOT227B | Έρευνα |
|
DSEE6-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 6A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
DSEE30-12A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247AD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC