Το DS28E15X+UW είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DS28E15X+UW, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DS28E15X+UW μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DS28E15X+UW με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DS28E15X+UW
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DS28E15X+UW
- Κατασκευαστής:
- Maxim Integrated
- Περιγραφή:
- IC EEPROM 512 1WIRE
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40421 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DS28E15X+UW.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | - |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| Τεχνολογία: | EEPROM |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | - |
| Συσκευασία / υπόθεση: | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 512b (512 x 1) |
| Διασύνδεση μνήμης: | 1-Wire® |
| Μορφή μνήμης: | EEPROM |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | EEPROM Memory IC 512b (512 x 1) 1-Wire® 2µs |
| Χρόνος πρόσβασης: | 2µs |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DS28E15X+UW
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DS28E10R+T | Maxim Integrated | IC EPROM 224 1WIRE | Έρευνα |
 |
DS28E22Q+U | Maxim Integrated | IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN | Έρευνα |
|
DS28E15Q+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN | Έρευνα |
|
DS28E11P+ | Maxim Integrated | 1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC | Έρευνα |
|
DS28E15Q+U | Maxim Integrated | IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN | Έρευνα |
 |
DS28E22P+ | Maxim Integrated | IC EEPROM 2K 1WIRE 6TSOC | Έρευνα |
 |
DS28E17Q+T | Maxim Integrated | IC BRIDGE 1-WIRE TO I2C 16TQFN | Έρευνα |
|
DS28E25+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 4K 1WIRE TO92-3 | Έρευνα |
|
DS28E15P+ | Maxim Integrated | IC EEPROM 512BIT 1WIRE 6TSOC | Έρευνα |
|
DS28E15P+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 512 1WIRE 6TSOC | Έρευνα |
 |
DS28E25G+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN | Έρευνα |
|
DS28E11P+T | Maxim Integrated | 1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC T | Έρευνα |
|
DS28E22Q+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN | Έρευνα |
|
DS28E25G+U | Maxim Integrated | IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN | Έρευνα |
|
DS28E15G+U | Maxim Integrated | IC EEPROM 512 1WIRE 2SFN | Έρευνα |
|
DS28E22P+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 2K 1WIRE 6TSOC | Έρευνα |
|
DS28E17Q+ | Maxim Integrated | IC BRIDGE 1-WIRE TO I2C 16TQFN | Έρευνα |
|
DS28E10P-W22+2TW | Maxim Integrated | IC EPROM 224 1WIRE 6TSOC | Έρευνα |
|
DS28E15G+T | Maxim Integrated | IC EEPROM 512 1WIRE 2SFN | Έρευνα |
|
DS28E25+ | Maxim Integrated | IC EEPROM 4K 1WIRE TO92-2 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο