Το DS1225AB-85 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DS1225AB-85, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DS1225AB-85 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DS1225AB-85 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DS1225AB-85
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DS1225AB-85
- Κατασκευαστής:
- Maxim Integrated
- Περιγραφή:
- IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 53723 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DS1225AB-85.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 85ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Τεχνολογία: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 28-EDIP |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Αλλα ονόματα: | DS1225AB85 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 64Kb (8K x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | NVSRAM |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 85ns 28-EDIP |
| Αριθμός μέρους βάσης: | DS1225A |
| Χρόνος πρόσβασης: | 85ns |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DS1225AB-85
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AB-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-200 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-200+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-170+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-150IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-150IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-200IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-200IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-150+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-150IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-170+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-200IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-70 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
 |
DS1225AB-200IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-150 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-70IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-85+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-200+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AD-200 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1225AB-70IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC