Το DRA74-681-R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DRA74-681-R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DRA74-681-R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DRA74-681-R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DRA74-681-R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DRA74-681-R
- Κατασκευαστής:
- Bussmann (Eaton)
- Περιγραφή:
- FIXED IND 680UH 315MA 2.86 OHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58864 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DRA74-681-R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | DRA |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q200 |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 283-3640-2 DRA74-681-R-ND DRA74681R |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 165°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | - |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 100kHz |
| Επαγωγή: | 680µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.171" (4.35mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 680µH Shielded Wirewound Inductor 315mA 2.86 Ohm Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 2.86 Ohm |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 315mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 352mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DRA74-681-R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DRA74-3R3-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.3UH 4.16A 16 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 1.37A 151 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 383MA 1.93 OHM | Έρευνα |
 |
DRA9114E0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
DRA9114Y0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
DRA74-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 2.66A 40 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 996MA 286 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.7UH 3.41A 24 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 1.14A 219 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 879MA 367 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-221-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 220UH 544MA 960 MOHM | Έρευνα |
|
DRA9115E0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
DRA74-331-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330UH 435MA 1.5 OHM | Έρευνα |
|
DRA74-2R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 2.2UH 4.82A 12 MOHM | Έρευνα |
|
DRA9114T0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
DRA74-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 1.68A 100 MOHM | Έρευνα |
|
DRA74-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 279MA 3.63 OHM | Έρευνα |
|
DRA74-R33-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330NH 7.26A 5.4 MOHM | Έρευνα |
|
DRA9113Z0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Έρευνα |
|
DRA74-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 2.91A 34 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC