Το DG9408DN-T1-E4 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DG9408DN-T1-E4, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DG9408DN-T1-E4 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DG9408DN-T1-E4 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DG9408DN-T1-E4
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DG9408DN-T1-E4
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35133 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DG9408DN-T1-E4.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Προμήθεια, Ενιαία (V +): | 2.7 V ~ 12 V |
| Τάση - Τροφοδοσία, Διπλή (V ±): | ±3 V ~ 6 V |
| Χρόνος διακοπής (Ton, Toff) (Max): | 70ns, 44ns |
| Κύκλωμα διακοπτών: | - |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-QFN (4x4) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 16-VQFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | DG9408DN-T1-E4CT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Αντίσταση κατάστασης (Max): | 7 Ohm |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| Κύκλωμα πολυπλέκτη / αποπολυπλέκτη: | 8:1 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1 Circuit IC Switch 8:1 7 Ohm 16-QFN (4x4) |
| Τρέχουσα - Διαρροή (IS (off)) (Max): | 2nA |
| Στιχομυθία: | -85dB @ 100kHz |
| Φόρτιση με ένεση: | 29pC |
| Αντιστοίχιση καναλιού σε κανάλι (ΔRon): | 3.6 Ohm (Max) |
| Χωρητικότητα καναλιού (CS (εκτός), CD (εκτός λειτουργίας): | 21pF, 211pF |
| -3dB εύρος ζώνης: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DG9408DN-T1-E4
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο