Το CWR11HH475KC είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CWR11HH475KC, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CWR11HH475KC μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CWR11HH475KC με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CWR11HH475KC
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CWR11HH475KC
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP TANT 4.7UF 10% 15V 1411
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52902 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CWR11HH475KC.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 15V |
| Τύπος: | Molded |
| Ανοχή: | ±10% |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55365/8, CWR11 |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1411 (3528 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 1001-2235-2 1001-2235-2-MIL CWR11HH475KC7370 T492B475K015CH7370 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 34 Weeks |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | B |
| Ισόβια @ Temp.: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.083" (2.10mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military |
| Ποσοστό αποτυχίας: | C (0.01%) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 4 Ohm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 15V 1411 (3528 Metric) 4 Ohm |
| χωρητικότητα: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CWR11HH475KC
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CWR11HH226KB | KEMET | CAP TANT 22UF 10% 15V 2917 | Έρευνα |
 |
CWR11HH106KB | KEMET | CAP TANT 10UF 10% 15V 2312 | Έρευνα |
 |
CWR11HH475KB | KEMET | CAP TANT 4.7UF 10% 15V 1411 | Έρευνα |
|
CWR11HH106KD | KEMET | CAP TANT 10UF 10% 15V 2312 | Έρευνα |
|
CWR11HH475JB | KEMET | CAP TANT 4.7UF 5% 15V 1411 | Έρευνα |
|
CWR11HH106KC | KEMET | CAP TANT 10UF 10% 15V 2312 | Έρευνα |
|
CWR11HH335KB | KEMET | CAP TANT 3.3UF 10% 15V 1411 | Έρευνα |
 |
CWR11JH105KCB | KEMET | CAP TANT 1.0UF 10% 20V 1206 | Έρευνα |
 |
CWR11JH156MC | KEMET | CAP TANT 15UF 20% 20V 2917 | Έρευνα |
|
CWR11JH156KB | KEMET | CAP TANT 15UF 10% 20V 2917 | Έρευνα |
 |
CWR11JH156JC | AVX Corporation | CAP TANT 15UF 5% 20V 2917 | Έρευνα |
 |
CWR11JH105KB | KEMET | CAP TANT 1.0UF 10% 20V 1206 | Έρευνα |
|
CWR11JB335KB | AVX Corporation | CAP TANT 3.3UF 10% 20V 1411 | Έρευνα |
|
CWR11JH156KC | KEMET | CAP TANT 15UF 10% 20V 2917 | Έρευνα |
|
CWR11JH105JB | KEMET | CAP TANT 1.0UF 5% 20V 1206 | Έρευνα |
|
CWR11HH226KC | KEMET | CAP TANT 22UF 10% 15V 2917 | Έρευνα |
|
CWR11JC226KB | AVX Corporation | CAP TANT 22UF 10% 20V 2917 | Έρευνα |
|
CWR11JH156MC | AVX Corporation | CAP TANT 15UF 20% 20V 2917 | Έρευνα |
|
CWR11HH226JD | KEMET | CAP TANT 22UF 5% 15V 2917 | Έρευνα |
|
CWR11HH475JC | KEMET | CAP TANT 4.7UF 5% 15V 1411 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική