Το CSD16407Q5C είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CSD16407Q5C, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CSD16407Q5C μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CSD16407Q5C με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CSD16407Q5C
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CSD16407Q5C
- Κατασκευαστής:
- TI
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / σύμφωνο RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41495 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CSD16407Q5C.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.9V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +16V, -12V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Σειρά: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 3.1W (Ta) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-PowerTDFN |
| Αλλα ονόματα: | 296-25664-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2660pF @ 12.5V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 25V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 25V 31A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CSD16407Q5C
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο