Το CRCW0201154KFKED είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CRCW0201154KFKED, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CRCW0201154KFKED μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CRCW0201154KFKED με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CRCW0201154KFKED
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CRCW0201154KFKED
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 154K OHM 1% 1/20W 0201
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46845 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CRCW0201154KFKED.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±100ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 0201 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Σειρά: | CRCW |
| Λειτουργία του πίνακα: | 154 kOhms |
| Ισχύς (Watts): | 0.05W, 1/20W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 0201 (0603 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 155°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.011" (0.28mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 154 kOhms ±1% 0.05W, 1/20W Chip Resistor 0201 (0603 Metric) Thick Film |
| Σύνθεση: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CRCW0201154KFKED
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CRCW0201158RFKED | Dale / Vishay | RES SMD 158 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW020115K0FKED | Dale / Vishay | RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150KFKED | Dale / Vishay | RES SMD 150K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201154RFKED | Dale / Vishay | RES SMD 154 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201158KFNED | Dale / Vishay | RES SMD 158K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW020114R0FNED | Dale / Vishay | RES SMD 14 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150RFKEE | Dale / Vishay | RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201154RFNED | Dale / Vishay | RES SMD 154 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201154KFNED | Dale / Vishay | RES SMD 154K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150KFNED | Dale / Vishay | RES SMD 150K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150RFNED | Dale / Vishay | RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW020115K0JNED | Dale / Vishay | RES SMD 15K OHM 5% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW020115K0FNED | Dale / Vishay | RES SMD 15K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW020114R7FNED | Dale / Vishay | RES SMD 14.7 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW020114R3FNED | Dale / Vishay | RES SMD 14.3 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150RJNED | Dale / Vishay | RES SMD 150 OHM 5% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201158KFKED | Dale / Vishay | RES SMD 158K OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201158RFNED | Dale / Vishay | RES SMD 158 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150RFKED | Vishay Dale | RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201 | Έρευνα |
|
CRCW0201150KJNED | Dale / Vishay | RES SMD 150K OHM 5% 1/20W 0201 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC