Το CLF12555T-3R3N-D είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CLF12555T-3R3N-D, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CLF12555T-3R3N-D μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CLF12555T-3R3N-D με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CLF12555T-3R3N-D
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CLF12555T-3R3N-D
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 3.3UH 5.7A 10.3 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57659 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CLF12555T-3R3N-D.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±30% |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | CLF-D |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q200 |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 445-15157-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 100kHz |
| Επαγωγή: | 3.3µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 13.4 mOhm Max Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 13.4 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 5.7A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 11.4A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CLF12555T-3R3N-D
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CLF12555T-331M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 700MA 672 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-470M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 1.8A 120 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
CLF12555T-471M | TDK Corporation | FIXED IND 470UH 600MA 795 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-4R7N | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 5.3A 11.7 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-330M | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 2.2A 67 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
CLF12555T-331M-H | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 700MA 560 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-471M-H | TDK Corporation | FIXED IND 470UH 600MA 795 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-3R3N | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 5.7A 10.3 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-330M-H | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 2.2A 67 MOHM SMD | Έρευνα |
|
CLF12555T-470M | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 1.8A 100 MOHM SMD | Έρευνα |
|
CLF12555T-3R3N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 5.7A 13.4 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-330M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 2.2A 80.4 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-471M-D | TDK Corporation | FIXED IND 470UH 600MA 795 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-330M-D | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 2.2A 67 MOHM SMD | Έρευνα |
|
CLF12555T-470M-H | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 1.8A 100 MOHM SMD | Έρευνα |
|
CLF12555T-471M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 470UH 600MA 954 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-331M | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 700MA 560 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-3R3N-H | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 5.7A 10.3 MOHM | Έρευνα |
|
CLF12555T-470M-D | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 1.8A 100 MOHM SMD | Έρευνα |
|
CLF12555T-331M-D | TDK Corporation | FIXED IND 330UH 700MA 560 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash