Το CEFA105-G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CEFA105-G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CEFA105-G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CEFA105-G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CEFA105-G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CEFA105-G
- Κατασκευαστής:
- Comchip Technology
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50584 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CEFA105-G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-214AC (SMA) |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-214AC, SMA |
| Άλλα ονόματα: | 641-1144-2 CEFA105G ES1J |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 50ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | CEFA105-G |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 5µA @ 600V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.3V @ 1A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 600V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CEFA105-G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CEFC303-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | Έρευνα |
 |
CEFA202-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC | Έρευνα |
|
CEFA103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | Έρευνα |
 |
CEFB202-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFA101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | Έρευνα |
|
CEFB201-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Έρευνα |
 |
CEFB105-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFA201-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC | Έρευνα |
|
CEFA102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Έρευνα |
|
CEFB203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFB204-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFB205-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFB102-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFA104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | Έρευνα |
|
CEFC305-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | Έρευνα |
|
CEFB104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFB103-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFA203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC | Έρευνα |
|
CEFB101-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA | Έρευνα |
|
CEFC304-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED