Το CDSOT23-S2004 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CDSOT23-S2004, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CDSOT23-S2004 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CDSOT23-S2004 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CDSOT23-S2004
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CDSOT23-S2004
- Κατασκευαστής:
- Bourns, Inc.
- Περιγραφή:
- DIODE ARRAY GP 240V 225MA SOT23
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35571 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CDSOT23-S2004.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1V @ 100mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 240V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-23-3 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | CDSOT23-S2004TR CDSOT23S2004 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 1 Pair Series Connection |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 240V 225mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100nA @ 240V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 225mA (DC) |
| Αριθμός μέρους βάσης: | CDSOT23-S2004 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CDSOT23-S2004
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CDSP400-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD723 | Έρευνα |
 |
CDSQR4448-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 125MA 0402 | Έρευνα |
 |
CDSFR355B | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 100MA 1005 | Έρευνα |
 |
CDSSC4148N-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 150MA 0805 | Έρευνα |
 |
CDSQR4148S-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 150MA 0402 | Έρευνα |
|
CDSFR4148 | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005 | Έρευνα |
 |
CDST-116-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | Έρευνα |
 |
CDSQR4148 | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 150MA 0402 | Έρευνα |
 |
CDSH3-222P-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY GP 80V 300MA SOT523 | Έρευνα |
|
CDSQR400B-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 100MA 0402 | Έρευνα |
|
CDSFR4448 | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 125MA 1005 | Έρευνα |
|
CDSQR4448 | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 125MA 0402 | Έρευνα |
|
CDSH3-99-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY GP 85V 155MA SOT523 | Έρευνα |
|
CDSQR4148-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 150MA 0402 | Έρευνα |
|
CDSH3-222N-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY GP 80V 300MA SOT523 | Έρευνα |
|
CDSFR4148-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005 | Έρευνα |
|
CDSH3-4448C-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT523 | Έρευνα |
|
CDSQR400B | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 80V 100MA 0402 | Έρευνα |
|
CDSH3-70-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY GP 85V 155MA SOT523 | Έρευνα |
 |
CDSL4148-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο