Το C8051F806-GM είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C8051F806-GM, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C8051F806-GM μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C8051F806-GM με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C8051F806-GM
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C8051F806-GM
- Κατασκευαστής:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Περιγραφή:
- IC MCU 8BIT 16KB FLASH 20QFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 33771 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C8051F806-GM.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 20-QFN (4x4) |
| Ταχύτητα: | 25MHz |
| Σειρά: | C8051F80x |
| RAM Μέγεθος: | 512 x 8 |
| Τύπος μνήμης προγράμματος: | FLASH |
| Μέγεθος μνήμης προγράμματος: | 16KB (16K x 8) |
| Περιφερειακά: | Cap Sense, POR, PWM, WDT |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 336-1775-5 C8051F806GM |
| Oscillator Τύπος: | Internal |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Αριθμός εισόδων / εξόδων: | 17 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM Μέγεθος: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 8051 C8051F80x Microcontroller IC 8-Bit 25MHz 16KB (16K x 8) FLASH 20-QFN (4x4) |
| Μετατροπείς δεδομένων: | - |
| πυρήνα Μέγεθος: | 8-Bit |
| core επεξεργαστή: | 8051 |
| συνδεσιμότητα: | SMBus (2-Wire/I²C), SPI, UART/USART |
| Αριθμός μέρους βάσης: | C8051F80 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C8051F806-GM
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο