Το C4D02120E-TR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C4D02120E-TR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C4D02120E-TR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C4D02120E-TR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C4D02120E-TR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C4D02120E-TR
- Κατασκευαστής:
- Cree Wolfspeed
- Περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41313 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C4D02120E-TR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.8V @ 2A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-252-2 |
| Ταχύτητα: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Σειρά: | Z-Rec® |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 0ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 52 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Silicon Carbide Schottky |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 10A (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 167pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C4D02120E-TR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C4D10120E-TR | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 | Έρευνα |
 |
C4D20120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2 | Έρευνα |
|
C4D02120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220-2 | Έρευνα |
 |
C4D10120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Έρευνα |
 |
C4D15120H | Cree Wolfspeed | ZRECTM 15A 1200V SIC SCHOTTKY DI | Έρευνα |
|
C4D05120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8.2A TO220 | Έρευνα |
|
C4D10120H | Cree Wolfspeed | ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI | Έρευνα |
 |
C4D10120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D30120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V 21.5A | Έρευνα |
|
C4D10120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Έρευνα |
|
C4D08120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252 | Έρευνα |
|
C4D05120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D08120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D08120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 | Έρευνα |
|
C4D20120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Έρευνα |
|
C4D05120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D15120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Έρευνα |
|
C4D15120D | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO247 | Έρευνα |
|
C4D02120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D20120H | Cree Wolfspeed | ZRECTM 20A 1200V SIC SCHOTTKY DI | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών