Το C4D10120H είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C4D10120H, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C4D10120H μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C4D10120H με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C4D10120H
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C4D10120H
- Κατασκευαστής:
- Cree Wolfspeed
- Περιγραφή:
- ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44117 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.C4D10120H.pdf2.C4D10120H.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.8V @ 10A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247-2 |
| Ταχύτητα: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Σειρά: | Z-Rec® |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 0ns |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Diode Τύπος: | Silicon Carbide Schottky |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 31.5A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 31.5A (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C4D10120H
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C4D08120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 | Έρευνα |
 |
C4D40120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Έρευνα |
 |
C4D10120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D20120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2 | Έρευνα |
 |
C4DCMAQ4600AA0J | KEMET | CAP FILM 6UF 5% 850VDC RADIAL | Έρευνα |
|
C4D15120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Έρευνα |
|
C4D30120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V 21.5A | Έρευνα |
 |
C4D15120H | Cree Wolfspeed | ZRECTM 15A 1200V SIC SCHOTTKY DI | Έρευνα |
 |
C4D10120E-TR | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D10120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Έρευνα |
|
C4D10120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Έρευνα |
|
C4D05120A | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8.2A TO220 | Έρευνα |
|
C4DCNAQ4400AA0J | KEMET | CAP FILM 4UF 5% 1KVDC RADIAL | Έρευνα |
|
C4D20120H | Cree Wolfspeed | ZRECTM 20A 1200V SIC SCHOTTKY DI | Έρευνα |
|
C4D08120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252 | Έρευνα |
|
C4D08120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D15120D | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO247 | Έρευνα |
|
C4D05120E | Cree Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D05120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2 | Έρευνα |
|
C4D20120D | Cree Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών