Το C4ATFBW5400A3NJ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C4ATFBW5400A3NJ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C4ATFBW5400A3NJ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C4ATFBW5400A3NJ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C4ATFBW5400A3NJ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C4ATFBW5400A3NJ
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP FILM 40UF 5% 400VDC RAD 4LD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58298 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.C4ATFBW5400A3NJ.pdf2.C4ATFBW5400A3NJ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - DC: | 400V |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | 250V |
| Ανοχή: | ±5% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) |
| Σειρά: | C4AT |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial - 4 Leads |
| Αλλα ονόματα: | 399-5949 4ATFBW5400A3NJ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| μόλυβδος Απόσταση: | 2.067" (52.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.969" (50.00mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 1.4 mOhms |
| διηλεκτρικό υλικό: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 40µF Film Capacitor 250V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads |
| χωρητικότητα: | 40µF |
| εφαρμογές: | DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C4ATFBW5400A3NJ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C4ATHBW4220A30J | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 600VDC SNUBBER | Έρευνα |
|
C4ATHBU4100A30J | KEMET | CAP FILM 1UF 5% 600VDC SNUBBER | Έρευνα |
 |
C4ATGBW5200A3MJ | KEMET | CAP FILM 20UF 5% 450VDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATDBW5200A30J | KEMET | CAP FILM 20UF 5% 250VDC RAD 4LD | Έρευνα |
|
C4ATHBW4330A3GJ | KEMET | CAP FILM 3.3UF 5% 600VDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATGBU4220A1DJ | KEMET | CAP FILM 2.2UF 5% 450VDC RADIAL | Έρευνα |
 |
C4ATFBW5300A3MJ | KEMET | CAP FILM 30UF 5% 400VDC RAD 4 LD | Έρευνα |
|
C4ATDBW5100A30J | KEMET | CAP FILM 10UF 5% 250VDC RAD 4LD | Έρευνα |
|
C4ATFBW5200A3LJ | KEMET | CAP FILM 20UF 5% 400VDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATHBU4100A3BJ | KEMET | CAP FILM 1UF 5% 600VDC RADIAL | Έρευνα |
 |
C4ATDBW5300A30J | KEMET | CAP FILM 30UF 5% 250VDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATGBW5100A3FJ | KEMET | CAP FILM 10UF 5% 450VDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATFBU4200A3BJ | KEMET | CAP FILM 2UF 5% 400VDC RADIAL | Έρευνα |
|
C4ASYBW3100A3EJ | KEMET | CAP FILM 0.1UF 5% 3KVDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATGBW4330A3EJ | KEMET | CAP FILM 3.3UF 5% 450VDC RADIAL | Έρευνα |
 |
C4ATGBW5150A3LJ | KEMET | CAP FILM 15UF 5% 450VDC RAD 4LD | Έρευνα |
|
C4ATFBW5100A3FJ | KEMET | CAP FILM 10UF 5% 400VDC RADIAL | Έρευνα |
 |
C4ATDBW5600A30J | KEMET | CAP FILM 60UF 5% 250VDC RAD 4LD | Έρευνα |
|
C4ASYBW3150A3GJ | KEMET | CAP FILM 0.15UF 5% 3KVDC RAD 4LD | Έρευνα |
 |
C4ATGBW4680A3GJ | KEMET | CAP FILM 6.8UF 5% 450VDC RAD 4LD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική