Το C3640H473KGGWCT050 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C3640H473KGGWCT050, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C3640H473KGGWCT050 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C3640H473KGGWCT050 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C3640H473KGGWCT050
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C3640H473KGGWCT050
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP CER 0.047UF 2KV C0G/NP0 3640
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40543 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C3640H473KGGWCT050.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 2000V (2kV) |
| Ανοχή: | ±10% |
| Πάχος (Max): | 0.106" (2.70mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.358" L x 0.402" W (9.10mm x 10.20mm) |
| Σειρά: | H, Pulse Discharge |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 3640 (9110 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 399-13340-1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 200°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 52 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESL, High Voltage, High Temperature |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 0.047µF ±10% 2000V (2kV) Ceramic Capacitor C0G, NP0 3640 (9110 Metric) |
| χωρητικότητα: | 0.047µF |
| εφαρμογές: | Downhole |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C3640H473KGGWCT050
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
2225J0250223MDR | Knowles Syfer | CAP CER 0.022UF 25V X7R 2225 | Έρευνα |
 |
C315C242G1G5TA7301 | KEMET | CAP CER 2400PF 100V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
 |
C364N | Powerex, Inc. | THYRISTOR SCR 180A 800V TO-200AB | Έρευνα |
 |
0505J1505P10DQT | Knowles Syfer | CAP CER 5.1PF 150V C0G/NP0 0505 | Έρευνα |
 |
CL05B682KA5NNNC | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 6800PF 25V X7R 0402 | Έρευνα |
 |
C0805C224M3REC7800 | KEMET | CAP CER 0805 220NF 25V X7R 20% | Έρευνα |
 |
VJ0603D6R2CXXAJ | Electro-Films (EFI) / Vishay | CAP CER 6.2PF 25V C0G/NP0 0603 | Έρευνα |
 |
102S42E0R8AV4E | Johanson Technology | CAP CER 0.8PF 1KV NP0 1111 | Έρευνα |
 |
C1206X273J8JAC7800 | KEMET | CAP CER 0.027UF 10V U2J 1206 | Έρευνα |
 |
ECC-D3F101JGE | Panasonic | CAP CER 100PF 3KV SL/GP RADIAL | Έρευνα |
 |
C3640C473JDGACAUTO | KEMET | CAP CER 0.047UF 1KV C0G/NP0 3640 | Έρευνα |
|
2225Y2K50220JCT | Knowles Syfer | CAP CER 22PF 2.5KV C0G/NP0 2225 | Έρευνα |
 |
1808CC103KBT1A | AVX Corporation | CAP CER 10000PF 630V X7R 1808 | Έρευνα |
 |
C3640H473JDGACT050 | KEMET | CAP CER 0.047UF 1KV C0G/NP0 3640 | Έρευνα |
|
2225Y1K00562KFT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 1KV C0G/NP0 2225 | Έρευνα |
 |
C1206C125K8RACTU | KEMET | CAP CER 1.2UF 10V X7R 1206 | Έρευνα |
|
C430C273K1G5TA | KEMET | CAP CER 0.027UF 100V C0G AXIAL | Έρευνα |
|
C364M | Powerex, Inc. | THYRISTOR SCR 180A 600V TO-200AB | Έρευνα |
 |
SA301E683MAA | AVX Corporation | CAP CER 0.068UF 100V Z5U AXIAL | Έρευνα |
 |
1206Y1K05P60CQT | Knowles Syfer | CAP CER 5.6PF 1KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί