Το C1812C681J1GACTU είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C1812C681J1GACTU, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C1812C681J1GACTU μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C1812C681J1GACTU με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C1812C681J1GACTU
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C1812C681J1GACTU
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP CER 680PF 100V NP0 1812
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32902 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C1812C681J1GACTU.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 100V |
| Ανοχή: | ±5% |
| Πάχος (Max): | 0.043" (1.10mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | C |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1812 (4532 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | C1812C681J1GAC C1812C681J1GAC7800 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 42 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESL |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 680pF ±5% 100V Ceramic Capacitor C0G, NP0 1812 (4532 Metric) |
| χωρητικότητα: | 680pF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C1812C681J1GACTU
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C1812C681JBGACTU | KEMET | CAP CER 680PF 630V C0G/NP0 1812 | Έρευνα |
|
C1812C681JFGACTU | KEMET | CAP CER 680PF 1.5KV C0G/NP0 1812 | Έρευνα |
|
C1812C681J5HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C681F5HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C681J1HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681F1HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681G5HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C621M5HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 620PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C680JCGACTU | KEMET | CAP CER 68PF 500V C0G/NP0 1812 | Έρευνα |
|
C1812C681G1HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681G5HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C681F1HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681F5HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C681J1HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681G1HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681K1HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681K1HACAUTO | KEMET | CAP CER 1812 680PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1812C681K5HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C681J5HAC7800 | KEMET | CAP CER 1812 680PF 50V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1812C681J2GACTU | KEMET | CAP CER 680PF 200V NP0 1812 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC