Το C1206C474Z4VACTU είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C1206C474Z4VACTU, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C1206C474Z4VACTU μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C1206C474Z4VACTU με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C1206C474Z4VACTU
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C1206C474Z4VACTU
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP CER 0.47UF 16V Y5V 1206
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 29457 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C1206C474Z4VACTU.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 16V |
| Ανοχή: | -20%, +80% |
| Πάχος (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | Y5V (F) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | C |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | C1206C474Z4VAC C1206C474Z4VAC7800 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -30°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 53 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 0.47µF -20%, +80% 16V Ceramic Capacitor Y5V (F) 1206 (3216 Metric) |
| χωρητικότητα: | 0.47µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C1206C474Z4VACTU
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C1206C474MMREC7800 | KEMET | CAP CER 1206 470NF 63V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C475K3RACTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 25V X7R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C474Z3VACTU | KEMET | CAP CER 0.47UF 25V Y5V 1206 | Έρευνα |
|
C1206C475K4PACTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 16V X5R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C475J8NACTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 10V X8L 1206 | Έρευνα |
|
C1206C475K3PALTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 25V X5R 1206 | Έρευνα |
 |
C1206C475K3RALTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 25V X7R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C475K3PACTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 25V X5R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C474M5REC7210 | KEMET | CAP CER 1206 470NF 50V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C475K4PAC7210 | KEMET | CAP CER 4.7UF 16V X5R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C475J3RACTU | KEMET | CAP CER 4.7UF 25V X7R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C474M5RECAUTO | KEMET | CAP CER 1206 470NF 50V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C475K3RACAUTO | KEMET | CAP CER 4.7UF 25V X7R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C474MMREC7210 | KEMET | CAP CER 1206 470NF 63V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C474MMREC | KEMET | CAP CER 1206 470NF 63V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C474MMRECAUTO7210 | KEMET | CAP CER 1206 470NF 63V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C474M5RECAUTO7210 | KEMET | CAP CER 1206 470NF 50V X7R 20% | Έρευνα |
|
C1206C474MMRECAUTO | KEMET | CAP CER 1206 470NF 63V X7R 20% | Έρευνα |
 |
C1206C475K4NACAUTO | KEMET | CE SMD 1206 4.7UF 10% 16V X8L AU | Έρευνα |
|
C1206C474M5REC7800 | KEMET | CAP CER 1206 470NF 50V X7R 20% | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική