Το C1206C221K1GALTU είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C1206C221K1GALTU, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C1206C221K1GALTU μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C1206C221K1GALTU με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C1206C221K1GALTU
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C1206C221K1GALTU
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP CER 220PF 100V NP0 1206
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46452 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C1206C221K1GALTU.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 100V |
| Ανοχή: | ±10% |
| Πάχος (Max): | 0.035" (0.88mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | L |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | C1206C221K1GAL C1206C221K1GAL7800 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 44 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 220pF ±10% 100V Ceramic Capacitor C0G, NP0 1206 (3216 Metric) |
| χωρητικότητα: | 220pF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C1206C221K1GALTU
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C1206C221K1HACAUTO | KEMET | CAP CER 1206 220PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1206C221JDGACTU | KEMET | CAP CER 220PF 1KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221K2GAC7800 | KEMET | CAP CER 220PF 200V NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221JDGACAUTO | KEMET | CAP CER 1206 220PF 1000V C0G 5% | Έρευνα |
|
C1206C221K4HAC7800 | KEMET | CAP CER 1206 220PF 16V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1206C221K5GACAUTO | KEMET | CAP CER 220PF 50V NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221K2RAC7800 | KEMET | CAP CER SMD 1206 220PF 10% 200V | Έρευνα |
|
C1206C221K3HACAUTO | KEMET | CAP CER 1206 220PF 25V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1206C221K3HAC7800 | KEMET | CAP CER 1206 220PF 25V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1206C221K1HAC7800 | KEMET | CAP CER 1206 220PF 100V ULTRA ST | Έρευνα |
|
C1206C221K4HACAUTO | KEMET | CAP CER 1206 220PF 16V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1206C221JBGAC7800 | KEMET | CAP CER 220PF 630V C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221K1GACTU | KEMET | CAP CER 220PF 100V C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221JGGACAUTO | KEMET | CAP CER 1206 220PF 2000V C0G 5% | Έρευνα |
|
C1206C221JBGACAUTO | KEMET | CAP CER 220PF 630V C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221K5GACTU | KEMET | CAP CER 220PF 50V C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221JCRACTU | KEMET | CAP CER 220PF 500V X7R 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221J8HACAUTO | KEMET | CAP CER 1206 220PF 10V ULTRA STA | Έρευνα |
|
C1206C221JCGACTU | KEMET | CAP CER 220PF 500V C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
C1206C221JGGAC7800 | KEMET | CAP CER 220PF 2KV NP0 1206 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική