Το BZX585-C33,115 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BZX585-C33,115, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BZX585-C33,115 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BZX585-C33,115 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BZX585-C33,115
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BZX585-C33,115
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- DIODE ZENER 33V 300MW SOD523
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54439 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.BZX585-C33,115.pdf2.BZX585-C33,115.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Zener (Nom) (Vz): | 33V |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.1V @ 100mA |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOD-523 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 300mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-79, SOD-523 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2978-2 568-1791-2 568-1791-2-ND 934057428115 BZX585-C33 T/R |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Σύνθετη αντίσταση (Max) (Zzt): | 80 Ohms |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Zener Diode 33V 300mW ±5% Surface Mount SOD-523 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50nA @ 23.1V |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BZX585C33 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BZX585-C33,115
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BZX585-C2V4,135 | Nexperia | DIODE ZENER 2.4V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V9,135 | Nexperia | DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C22,115 | Nexperia | DIODE ZENER 22V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C36,115 | Nexperia | DIODE ZENER 36V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C2V7,115 | Nexperia | DIODE ZENER 2.7V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C20,115 | Nexperia | DIODE ZENER 20V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V3,115 | Nexperia | DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C24,115 | Nexperia | DIODE ZENER 24V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C2V4,115 | Nexperia | DIODE ZENER 2.4V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V0,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE ZENER 3V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C39,115 | Nexperia | DIODE ZENER 39V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C30,115 | Nexperia | DIODE ZENER 30V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V6,135 | Nexperia | DIODE ZENER 3.6V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V6,115 | Nexperia | DIODE ZENER 3.6V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C27,115 | Nexperia | DIODE ZENER 27V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C2V7,135 | Nexperia | DIODE ZENER 2.7V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V3,135 | Nexperia | DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C18,115 | Nexperia | DIODE ZENER 18V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V0,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE ZENER 3V 300MW SOD523 | Έρευνα |
|
BZX585-C3V9,115 | Nexperia | DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική