Το BUK9MGP-55PTS,518 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BUK9MGP-55PTS,518, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BUK9MGP-55PTS,518 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BUK9MGP-55PTS,518 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BUK9MGP-55PTS,518
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BUK9MGP-55PTS,518
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- 9648 MISC TRENCHFET
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21270 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BUK9MGP-55PTS,518.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 20-SO |
| Σειρά: | TrenchPLUS |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 10A, 10V, 22.6 mOhm @ 5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 5.2W (Tc), 3.9W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 934061948518 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 54nC @ 5V, 23nC @ 5V |
| FET Τύπος: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 55V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 16.9A (Tc), 9.16A (Tc) 5.2W (Tc), 3.9W (Tc) Surface Mount 20-SO |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 16.9A (Tc), 9.16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BUK9MGP-55PTS,518
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9MMM-55PNN/A,51 | Nexperia | 55V N CH TRENCHFET | Έρευνα |
|
BUK9MJJ-55PSS/A,51 | Nexperia | 55V N CH TRENCHFET | Έρευνα |
 |
BUK9M5R2-30EX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Έρευνα |
|
BUK9M42-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK9M9R1-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK9MHH-65PNN,518 | Nexperia | 9605 AUTO TRENCH PLUS | Έρευνα |
|
BUK9M52-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33 | Έρευνα |
|
BUK9MJJ-65PLL,518 | Nexperia | 9605 AUTO TRENCH PLUS | Έρευνα |
|
BUK9MNN-65PKK,518 | Nexperia | 9605 AUTO TRENCH PLUS | Έρευνα |
|
BUK9MPP-65PLL,518 | Nexperia | 9605 AUTO TRENCH PLUS | Έρευνα |
|
BUK9M43-100EX | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK9MFF-65PSS,518 | Nexperia | 9605 AUTO TRENCH PLUS | Έρευνα |
|
BUK9MJJ-55PTT,518 | Nexperia | 9648 MISC TRENCHFET | Έρευνα |
|
BUK9M7R2-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK9MRR-55PGG/A,51 | Nexperia | 55V N CH TRENCHFET | Έρευνα |
|
BUK9MRR-65PKK,518 | Nexperia | 9605 AUTO TRENCH PLUS | Έρευνα |
|
BUK9M6R6-30EX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK9M53-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK9MJT-55PRF,518 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC | Έρευνα |
|
BUK9M85-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική