Το BR246-320B2-28V-023M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BR246-320B2-28V-023M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BR246-320B2-28V-023M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BR246-320B2-28V-023M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BR246-320B2-28V-023M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BR246-320B2-28V-023M
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43658 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BR246-320B2-28V-023M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | 18 VDC |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | 5.1 VDC |
| Στυλ λήξης: | Solder Hook |
| εναλλαγή τάσης: | 208VAC, 28VDC - Max |
| Σειρά: | BR246 |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 15ms |
| Τύπος ρελέ: | General Purpose |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Αλλα ονόματα: | BR246320B228V023M |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -70°C ~ 125°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 15ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 28VDC Coil Chassis Mount |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 10A |
| Επικοινωνία Υλικό: | - |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | DPDT (2 Form C) |
| πηνίο τάσης: | 28VDC |
| Coil Τύπος: | Non Latching |
| πηνίο Αντίσταση: | 320 Ohms |
| πηνίο ισχύος: | 500 mW |
| πηνίο Τρέχουσα: | 87.5mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BR246-320B2-28V-023M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BR246-320C1-28V | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B2-28V-028M | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
 |
BR246-320A2-28V-024M | Microsemi | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V | Έρευνα |
|
BR246-320C1-28V-019M | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B3-28V-026L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B1-28V | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B2-28V-028L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B3-28V-026M | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B1-28V-020M | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B2-28V-023L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320A2-28V-029M | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B3-28V-23 | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320A2-28V-010 | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320A2-28V-024L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B2-28V | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B3-28V | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B3-28V-028M | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320C1-28V-019L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320B1-28V-020L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
|
BR246-320A2-28V-029L | Microsemi | RELAY | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο