Το BLM7G22S-60PBY είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLM7G22S-60PBY, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLM7G22S-60PBY μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLM7G22S-60PBY με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLM7G22S-60PBY
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLM7G22S-60PBY
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47835 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLM7G22S-60PBY.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-HSOPF |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 1.6W |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-1211-2 |
| Αλλα ονόματα: | 568-12806-6 |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 31.5dB |
| Συχνότητα: | 2.14GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 75mA 2.14GHz 31.5dB 1.6W 16-HSOPF |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | - |
| Τρέχουσες - Test: | 75mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLM7G22S-60PBY
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM7G24S-30BGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-80PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | Έρευνα |
 |
BLM7G1822S-40PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | Έρευνα |
 |
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | Έρευνα |
 |
BLM7G1822S-20PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111 | Έρευνα |
|
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | Έρευνα |
|
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-40PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-80PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-40ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112 | Έρευνα |
|
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-40ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122 | Έρευνα |
|
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | Έρευνα |
|
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | Έρευνα |
|
BLM7G1822S-80ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121 | Έρευνα |
|
BLM7G22S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | Έρευνα |
 |
BLM8D1822-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | Έρευνα |
|
BLM8D1822S-50PBGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP | Έρευνα |
|
BLM8D1822S-50PBY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο