Το BLF6G27L-50BN,112 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF6G27L-50BN,112, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF6G27L-50BN,112 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF6G27L-50BN,112 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLF6G27L-50BN,112
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLF6G27L-50BN,112
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41661 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLF6G27L-50BN,112.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | CDFM6 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 3W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-1112A |
| Αλλα ονόματα: | 934064686112 |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 16.5dB |
| Συχνότητα: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | - |
| Τρέχουσες - Test: | 430mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BLF6G27 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G27L-50BN,112
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27LS-40PHJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB | Έρευνα |
 |
BLF6G27-10G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Έρευνα |
 |
BLF6G27L-40P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | Έρευνα |
 |
BLF6G27LS-40PGJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E | Έρευνα |
 |
BLF6G27LS-100,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PWR LDMOS SOT502 | Έρευνα |
 |
BLF6G27LS-100,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Έρευνα |
 |
BLF6G27L-50BN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | Έρευνα |
 |
BLF6G27-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | Έρευνα |
|
BLF6G27-100,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Έρευνα |
 |
BLF6G27LS-40P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Έρευνα |
 |
BLF6G27LS-135,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G27LS-40P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Έρευνα |
|
BLF6G27-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Έρευνα |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | Έρευνα |
|
BLF6G27-10G,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Έρευνα |
|
BLF6G27-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | Έρευνα |
|
BLF6G27LS-135,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF6G27-10GHJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Έρευνα |
|
BLF6G27L-40P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | Έρευνα |
|
BLF6G27-135,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS