BLF6G27L-50BN,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF6G27L-50BN,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF6G27L-50BN,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF6G27L-50BN,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF6G27L-50BN,112
- رقم القطعة:
- BLF6G27L-50BN,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41661 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF6G27L-50BN,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-1112A |
| اسماء اخرى: | 934064686112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 16.5dB |
| تردد: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 430mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLF6G27 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G27L-50BN,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27LS-40PHJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB | تحقيق |
 |
BLF6G27-10G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF6G27L-40P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40PGJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-100,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PWR LDMOS SOT502 | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-100,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G27L-50BN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | تحقيق |
 |
BLF6G27-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G27-100,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-135,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G27LS-40P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF6G27-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
BLF6G27-10G,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
|
BLF6G27-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G27LS-135,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G27-10GHJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
|
BLF6G27L-40P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF6G27-135,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025