Το BLC8G27LS-210PVY είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLC8G27LS-210PVY, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLC8G27LS-210PVY μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLC8G27LS-210PVY με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLC8G27LS-210PVY
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLC8G27LS-210PVY
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57949 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLC8G27LS-210PVY.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-DFM |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 65W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-1251-3 |
| Αλλα ονόματα: | 568-12768-2 934068684518 BLC8G27LS-210PVY-ND |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 17dB |
| Συχνότητα: | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.73A 2.6GHz ~ 2.7GHz 17dB 65W 8-DFM |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | - |
| Τρέχουσες - Test: | 1.73A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLC8G27LS-210PVY
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLC8G27LS-245AVJ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1251 | Έρευνα |
 |
BLC8G27LS-245AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 | Έρευνα |
 |
BLC8G27LS-210PVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Έρευνα |
 |
BLC8G27LS-60AVY | Ampleon | TRANS RF 60W LDMOS DFM6F | Έρευνα |
 |
BLC8G27LS-100AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-140AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-160AVHY | Ampleon | RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-60AVZ | Ampleon | TRANS RF 60W LDMOS DFM6F | Έρευνα |
 |
BLC9G15LS-400AVTZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-180AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-180AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Έρευνα |
 |
BLC8G27LS-240AVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-160AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Έρευνα |
 |
BLC8G24LS-241AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-240AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | Έρευνα |
 |
BLC8G27LS-245AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 | Έρευνα |
 |
BLC9G15LS-400AVTY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583 | Έρευνα |
|
BLC8G27LS-100AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο