Το BD8314NUV-E2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BD8314NUV-E2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BD8314NUV-E2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BD8314NUV-E2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BD8314NUV-E2
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BD8314NUV-E2
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- IC REG BOOST ADJ 2.5A SON10
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54423 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.BD8314NUV-E2.pdf2.BD8314NUV-E2.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Έξοδος (Min / Σταθερό): | 4V |
| Τάσης - εξόδου (Max): | 12V |
| Τάση - Εισόδου (Min): | 3V |
| Τάση - Εισόδου (Max): | 12V |
| τοπολογία: | Boost |
| σύγχρονη ανορθωτή: | No |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 10-VSON (3x3) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Τύπος εξόδου: | Adjustable |
| Διαμόρφωση εξόδου: | Positive |
| Αλλα ονόματα: | BD8314NUV-E2-ND BD8314NUV-E2TR BD8314NUVE2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Αριθμός Εξόδων: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λειτουργία: | Step-Up |
| Συχνότητα - Αλλαγή: | 1.2MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Boost Switching Regulator IC Positive Adjustable 4V 1 Output 2.5A (Switch) 10-VFDFN Exposed Pad |
| Τρέχουσες - εξόδου: | 2.5A (Switch) |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BD831* |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BD8314NUV-E2
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BD8312HFN-TR | LAPIS Semiconductor | IC REG BUCK ADJ 1A SYNC 8HSON | Έρευνα |
 |
BD8311NUV-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG BOOST ADJ 2.5A 10VSON | Έρευνα |
 |
BD8301MUV-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG BUCK BOOST ADJ 1A 20VQFN | Έρευνα |
|
BD8313HFN-TR | LAPIS Semiconductor | IC REG BUCK ADJ 1.2A SYNC 8HSON | Έρευνα |
 |
BD8325FVT-ME2 | LAPIS Semiconductor | BUILT-IN SECONDARY-SIDE DRIVER W | Έρευνα |
 |
BD83733HFP-MTR | LAPIS Semiconductor | 50V 500MA 1CH SOURCE DRIVER FOR | Έρευνα |
|
BD8305MUV-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG BUCK BOOST ADJ 1A 20VQFN | Έρευνα |
 |
BD8316GWL-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG BUCK BST INV ADJ 11WLCSP | Έρευνα |
|
BD8317GWL-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG BOOST ADJ A1 SYNC 50WLCSP | Έρευνα |
 |
BD8266EFV-ME2 | LAPIS Semiconductor | 4CH SYSTEM MOTOR DRIVER FOR CAR | Έρευνα |
 |
BD8303MUV-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG CTRLR BUCK-BOOST VQFNV | Έρευνα |
 |
BD8374EFJ-ME2 | LAPIS Semiconductor | 50V 500MA 1-CHANNEL LED SOURCE D | Έρευνα |
|
BD8372HFP-MTR | LAPIS Semiconductor | 50V 200MA 1-CHANNEL LED SOURCE D | Έρευνα |
|
BD8306MUV-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG BUCK BOOST ADJ 2A 16VQFN | Έρευνα |
|
BD8355MWV-E2 | LAPIS Semiconductor | IC REG SW W/FET LI 2CELL 56UQFN | Έρευνα |
|
BD8271EFV-E2 | LAPIS Semiconductor | 3CH SYSTEM MOTOR DRIVER ICS FOR | Έρευνα |
|
BD8372EFJ-ME2 | LAPIS Semiconductor | 50V 200MA 1-CHANNEL LED SOURCE D | Έρευνα |
|
BD83732HFP-MTR | LAPIS Semiconductor | 50V 500MA 1CH SOURCE DRIVER FOR | Έρευνα |
|
BD8355MWV-BZE2 | LAPIS Semiconductor | IC REG SW W/FET LI 2CELL 56UQFN | Έρευνα |
 |
BD8256EFV-ME2 | LAPIS Semiconductor | 9CH SYSTEM MOTOR DRIVER FOR CAR | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική