Το BAV116HWFQ-7 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BAV116HWFQ-7, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BAV116HWFQ-7 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BAV116HWFQ-7 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BAV116HWFQ-7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAV116HWFQ-7
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD123F
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21657 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BAV116HWFQ-7.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.25V @ 150mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 85V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOD-123F |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 3µs |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOD-123F |
| Αλλα ονόματα: | BAV116HWFQ-7DITR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOD-123F |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5nA @ 75V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 215mA (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BAV116HWFQ-7
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BAV116WS-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAV103 L0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | Έρευνα |
 |
BAV116W-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 130V 215MA SOD123 | Έρευνα |
 |
BAV116HWF-7 | Diodes Incorporated | DIODE SW 130V 215MA SOD123F | Έρευνα |
 |
BAV103,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA LLDS | Έρευνα |
 |
BAV103-GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | Έρευνα |
 |
BAV116T-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 100MA SOD523 | Έρευνα |
|
BAV103,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA LLDS | Έρευνα |
|
BAV16W-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 | Έρευνα |
|
BAV116HWF-7 | Diodes Incorporated | DIODE SW 130V 215MA SOD123F | Έρευνα |
|
BAV116WSQ-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAV103-GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | Έρευνα |
|
BAV103-IR08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | Έρευνα |
|
BAV103 L1G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | Έρευνα |
|
BAV16W-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 | Έρευνα |
 |
BAV103-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GP 200V 200MA MINI MELF | Έρευνα |
|
BAV116W-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 130V 215MA SOD123 | Έρευνα |
 |
BAV116S92-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD923 | Έρευνα |
|
BAV16W-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 | Έρευνα |
|
BAV16S92-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD923 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας