Το BAT854SWF είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BAT854SWF, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BAT854SWF μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BAT854SWF με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BAT854SWF
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAT854SWF
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49971 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BAT854SWF.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 550mV @ 100mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 40V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-323-3 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-70, SOT-323 |
| Αλλα ονόματα: | 934056175135 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Schottky |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 1 Pair Common Cathode |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 200mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 500nA @ 25V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 200mA (DC) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BAT854SWF
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BAT85S-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT83S-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO35 | Έρευνα |
 |
BAT960,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT666 | Έρευνα |
 |
BAT85,133 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 | Έρευνα |
|
BAT81S-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT86S-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT85,113 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 | Έρευνα |
|
BAT82S-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 50V 30MA DO35 | Έρευνα |
 |
BAT854CW,115 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | Έρευνα |
|
BAT854W,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323 | Έρευνα |
|
BAT82S-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 50V 30MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT83S-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT854CW,135 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | Έρευνα |
|
BAT81S-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT86,133 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO34 | Έρευνα |
|
BAT86,113 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO34 | Έρευνα |
|
BAT86S-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAT854AW,115 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | Έρευνα |
|
BAT854SW,115 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | Έρευνα |
|
BAT85S-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική