Το BAS21/8VL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BAS21/8VL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BAS21/8VL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BAS21/8VL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BAS21/8VL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAS21/8VL
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- DIODE GP 250V 200MA TO236AB
- Ποσότητα αποθέματος:
- 51067 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BAS21/8VL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.25V @ 200mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 250V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-236AB |
| Ταχύτητα: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | 934660147235 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 250V 200mA (DC) Surface Mount TO-236AB |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100nA @ 200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 200mA (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BAS21/8VL
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash