Το B43541A6686M000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B43541A6686M000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B43541A6686M000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B43541A6686M000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B43541A6686M000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B43541A6686M000
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 68UF 20% 500V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38903 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B43541A6686M000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 500V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.984" Dia (25.00mm) |
| Σειρά: | B43541 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 700mA @ 100Hz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Snap-In |
| Αλλα ονόματα: | B43541A6686M |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 36 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 8000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.394" (10.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 2 Ohms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.063" (27.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 1.4 Ohm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 68µF 500V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.4 Ohm @ 100Hz 8000 Hrs @ 85°C |
| χωρητικότητα: | 68µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B43541A6686M000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B43541A8277M067 | EPCOS | CAP ALUM 270UF 20% 600V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A7277M000 | EPCOS | CAP ALUM 270UF 20% 550V SNAP | Έρευνα |
|
B43540G2827M80 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 250V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A6397M000 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 500V SNAP-IN | Έρευνα |
|
B43540G2827M67 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 250V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A5337M000 | EPCOS | CAP ALUM 330UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43540G2827M87 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 250V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A7337M000 | EPCOS | CAP ALUM 330UF 20% 550V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A7566M000 | EPCOS | CAP ALUM 56UF 20% 550V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A5567M000 | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A7227M000 | EPCOS | CAP ALUM 220UF 20% 550V THRUHOLE | Έρευνα |
|
B43541A7397M002 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 550V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A8277M000 | EPCOS | CAP ALUM 270UF 20% 600V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A5477M082 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A7397M000 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 550V THRUHOLE | Έρευνα |
|
B43540G2827M82 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 250V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A8227M000 | EPCOS | CAP ALUM 220UF 20% 600V THRUHOLE | Έρευνα |
|
B43540G2827M7 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 250V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A7107M000 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 550V SNAP | Έρευνα |
|
B43541A6477M000 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 500V SNAP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική