Το B37979G5221J000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B37979G5221J000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B37979G5221J000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B37979G5221J000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B37979G5221J000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B37979G5221J000
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP CER 220PF 50V NP0 RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31645 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B37979G5221J000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 50V |
| Ανοχή: | ±5% |
| Πάχος (Max): | - |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.217" L x 0.197" W (5.50mm x 5.00mm) |
| Σειρά: | B37979G |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial |
| Αλλα ονόματα: | 495-3284 B37979G5221J |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Style: | Formed Leads |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.197" (5.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 220pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| χωρητικότητα: | 220pF |
| εφαρμογές: | RF, Microwave, High Frequency |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B37979G5221J000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B37979G5152J054 | EPCOS | CAP CER 1500PF 50V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
|
B37979G5222J000 | EPCOS | CAP CER 2200PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5331J054 | EPCOS | CAP CER 330PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5471J000 | EPCOS | CAP CER 470PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5222J051 | EPCOS | CAP CER 2200PF 50V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
|
B37979G5222J054 | EPCOS | CAP CER 2200PF 50V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
|
B37979G5101J054 | EPCOS | CAP CER 100PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5102J051 | EPCOS | CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
|
B37979G5122J000 | EPCOS | CAP CER 1200PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5221J051 | EPCOS | CAP CER 220PF 50V C0G/NP0 RADIAL | Έρευνα |
|
B37979G5222J058 | EPCOS | CAP CER 2200PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
|
B37979G5152J000 | EPCOS | CAP CER 1500PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
|
B37979G5102J054 | EPCOS | CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
|
B37979G5101J058 | EPCOS | CAP CER 100PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5331J051 | EPCOS | CAP CER 330PF 50V C0G/NP0 RADIAL | Έρευνα |
 |
B37979G5331J000 | EPCOS | CAP CER 330PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
|
B37979G5182J000 | EPCOS | CAP CER 1800PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
|
B37979G5102J000 | EPCOS | CAP CER 1000PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
|
B37979G5182J051 | EPCOS | CAP CER 1800PF 50V C0G/NP0 RAD | Έρευνα |
|
B37979G5221J054 | EPCOS | CAP CER 220PF 50V NP0 RADIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική